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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PUFM-X2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | REVERSE ENERGY TESTED | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.68 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 2000 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 100 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 最大反向电流： | 4000 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CPT20120D | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 45V V(RRM), Silicon, |
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| CPT20125 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| CPT20125A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| CPT20125D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, |
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| CPT20130 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod |
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| CPT20130_10 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod |
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| CPT20130D | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 30V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| CPT20135 | MICROSEMI |
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Schottky PowerMod |
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| CPT20135A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 35V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| CPT20135D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 35V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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