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CPDH5V0U-HF PDF预览

CPDH5V0U-HF

更新时间： 2024-11-05 21:11:59
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 96K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

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CPDH5V0U-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：1.66最小击穿电压：6 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散：180 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：IEC-61000-4-2最大重复峰值反向电压：5 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CPDH5V0U-HF 数据手册

 浏览型号CPDH5V0U-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CPDH5V0U-HF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CPDH5V0U-HF的Datasheet PDF文件第4页 
SMD ESD Protection Diode  
CPDH5V0U-HF  
RoHS Device  
Halogen Free  
Features  
SOD-523  
- Uni-directional ESD protection.  
- IEC61000-4-2 Level 4 ESD protection.  
- Surface mount package.  
- High component density.  
0.051(1.30)  
0.043(1.10)  
0.014(0.35)  
0.010(0.25)  
0.033(0.85)  
0.030(0.75)  
0.067(1.70)  
0.059(1.50)  
Mechanical data  
0.031(0.77)  
0.020(0.51)  
- Case: SOD-523 standard package ,  
molded plastic.  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.003(0.07)  
0.001(0.01)  
- Terminals: Tin plated, solderable per  
MIL-STD-750,method 2026.  
- Marking code: E5  
Dimensions in inches and (millimeter)  
- Mounting position: Any  
- Weight: 0.0012 grams(approx.).  
Circuit Diagram  
Maximum Rating (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Value  
200  
Unit  
W
Peak pulse power  
TP = 8/20us  
TP = 8/20us  
PPP  
IPP  
Peak pulse current  
ESD capability  
16  
A
IEC 61000-4-2(air)  
IEC 61000-4-2(contact)  
±20  
±15  
kV  
ESD  
Operation temperature range  
Storage temperature range  
Tj  
-55~+125  
-55~+150  
°C  
°C  
TSTG  
Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Typ  
0.8  
Parameter  
Working peak reverse voltage  
Forward voltage  
Conditions  
Min  
Max  
Unit  
V
VRWM  
VF  
5.0  
IF = 10mA  
IT = 1mA  
V
Breakdown voltage  
VBR  
IR  
6.0  
V
Reverse leakage current  
VRWM = 5V  
0.3  
2.0  
uA  
IPP = 1A, TP = 8/20us  
IPP = 5A, TP = 8/20us  
IPP = 16A, TP = 8/20us  
9.0  
9.8  
12.5  
Clamping voltage  
VC  
CJ  
V
Junction capacitance  
pF  
VR = 0V, f = 1MHz  
90  
120  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV:A  
Page 1  
QW-JP035  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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