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CPD82X-CMDSH2-3-WR

更新时间： 2024-01-31 16:07:23
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2页 397K
描述
Rectifier Diode,

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CPD82X-CMDSH2-3-WR 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Base Number Matches：1

CPD82X-CMDSH2-3-WR 数据手册

 浏览型号CPD82X-CMDSH2-3-WR的Datasheet PDF文件第2页 
PROCESS CPD82X  
Schottky Diode  
High Current, Low V Schottky Diode Chip  
F
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
Die Size  
14.6 x 14.6 MILS  
5.5 MILS  
Die Thickness  
Anode Bonding pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
11.8 x 11.8 MILS  
Al - 30,000Å  
Au - 12,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 5 INCH WAFER  
80,282  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CMDSH2-3  
CMDSH2-4L  
CMOSH2-4L  
CMUSH2-4L  
CMKSH2-4L  
CMXSH2-4L  
R2 (22-March 2010)  
www.centralsemi.com  
12

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