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CPD82X-CMUSH2-4L-WR

更新时间： 2023-07-15 00:00:00

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CPD82X-CMUSH2-4L-WR 数据手册

PROCESS CPD82X

Schottky Diode

High Current, Low V Schottky Diode Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

14.6 x 14.6 MILS

5.5 MILS

Die Thickness

Anode Bonding pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

11.8 x 11.8 MILS

Al - 30,000Å

Au - 12,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 5 INCH WAFER

80,282

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMDSH2-3

CMDSH2-4L

CMOSH2-4L

CMUSH2-4L

CMKSH2-4L

CMXSH2-4L

R2 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CPD82X-CMXSH2-4L-CT	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD82X-CMXSH2-4L-WN	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD82X-CMXSH2-4L-WS	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V	CENTRAL	获取价格	Switching Diode High Speed Switching Diode Chip
CPD83V_10	CENTRAL	获取价格	Switching Diode High Speed Switching Diode Chip
CPD83V-1N3064	CENTRAL	获取价格	75mA,75V Bare die,11.027 X 11.027 mils,Diode-Switching
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CPD83V-1N4148-CT	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4148-WS	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4153	CENTRAL	获取价格	150mA,75V Bare die,11.027 X 11.027 mils,Diode-Switching