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CPD83V_10

更新时间： 2024-01-30 10:23:38

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CENTRAL		二极管开关
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2页	422K
描述
Switching Diode High Speed Switching Diode Chip

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CPD83V_10 数据手册

PROCESS CPD83V

Switching Diode

High Speed Switching Diode Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

11 x 11 MILS

Die Size

Die Thickness

7.1 MILS

Anode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.35 x 3.35 MILS

Al - 30,000Å

Au-As - 13,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 5 INCH WAFER

137,880

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPD914

CMPD4448

1N914

1N914B

1N4148

1N4448

1N4154

1N4454

BACKSIDE CATHODE

CMPD2836

CMPD2838

CMPD7000

R5 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CPD83V-1N3064	CENTRAL	获取价格	75mA,75V Bare die,11.027 X 11.027 mils,Diode-Switching
CPD83V-1N4148	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4148-CT	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4148-WS	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4153	CENTRAL	获取价格	150mA,75V Bare die,11.027 X 11.027 mils,Diode-Switching
CPD83V-1N4154-CM	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4154-WN	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4154-WR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4154-WS	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD83V-1N4448	CENTRAL	获取价格	150mA,100V Bare die,11.027 X 11.027 mils,Diode-Switching