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CP727V-MPSU95

更新时间： 2024-10-02 17:01:23
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页数 文件大小 规格书
4页 458K
描述
Bare die,22.800 X 22.800 mils,Small Signal Darlington

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CP727V-MPSU95 技术参数

生命周期：Active包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：2 A配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：4000JESD-30 代码：S-XUUC-N2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

CP727V-MPSU95 数据手册

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CP727V-MPSU95  
PNP - Darlington Transistor Die  
2.0 Amp, 40 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP727V-MPSU95 is a silicon PNP Darlington power transistor designed for high gain  
amplifier applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
22.8 x 22.8 MILS  
7.1 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
4.7 x 4.7 MILS  
4.7 x 4.7 MILS  
Al-Si – 17,000Å  
Au – 9,000Å  
1.97 mils  
5 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
33,085  
BACKSIDE COLLECTOR  
R0  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
50  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
40  
10  
V
V
CES  
EBO  
Emitter-Base Voltage  
V
Continuous Collector Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
2.0  
A
C
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=30V  
100  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=8.0V  
100  
nA  
V
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
50  
40  
10  
CBO  
CES  
C
I =100µA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
I =1.0A, I =2.0mA  
1.5  
2.0  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =1.0A, I =2.0mA  
V
C
B
V
=5.0V, I =1.0A  
2.0  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=5.0V, I =200mA  
25K  
15K  
4.0K  
50  
150K  
C
=5.0V, I =500mA  
FE  
C
=5.0V, I =1.0A  
FE  
C
f
=5.0V, I =200mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
12  
ob  
E
R0 (3-August 2016)  
1234

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