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CP309

更新时间： 2024-11-18 03:26:23

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描述
Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip

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CP309 数据手册

PROCESS CP309

Power Transistor

Central

Semiconductor Corp.

NPN - Low Saturation Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

41.3 x 41.3 MILS

9.0 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

9.5 x 9.2 MILS

12.8 x 10.2 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

6,670

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPT3090L

CXT3090L

CZT3090L

CMXT3090L

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R2 (15- September 2003)

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