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CP309_10

更新时间： 2024-11-18 09:30:07
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2页 466K
描述
Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip

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CP309_10 数据手册

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PROCESS CP309  
Power Transistor  
NPN - Low Saturation Transistor Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
Die Size  
41.3 x 41.3 MILS  
9.0 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
9.4 x 9.2 MILS  
12.8 x 10.2 MILS  
Al - 30,000Å  
Ag - 12,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
6,285  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CMPT3090L  
CXT3090L  
CZT3090L  
CMXT3090L  
E
B
BACKSIDE COLLECTOR  
R1  
R4 (22-March 2010)  
www.centralsemi.com  
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