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CP305-CZT3019-CG

更新时间： 2024-11-14 20:52:23

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描述
Transistor

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CP305-CZT3019-CG 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

CP305-CZT3019-CG 数据手册

PROCESS CP305

Small Signal Transistor

NPN - High Current Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

31 x 31 MILS

9.0 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

5.9 x 11.8 MILS

6.5 x 13.8 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

11,300

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N3019

CMPT3019

CXT3019

CZT3019

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R2 (1-August 2002)

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CP305-D40D11	CENTRAL	获取价格	75V,1A,6.25W Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP305-MJE182	CENTRAL	获取价格	80V,3A,1.5W Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP305V-2N2897	CENTRAL	获取价格	45V,1A,500mW Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
CP305V-2N718A	CENTRAL	获取价格	750mA,500mW Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
CP305V-2N720A	CENTRAL	获取价格	80V,500mA,500mW Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
CP305V-BC337-25	CENTRAL	获取价格	45V,800mA,625mW Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
CP305V-BC817	CENTRAL	获取价格	45V,500mA,350mW Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)