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CMXT2207LEADFREE PDF预览

CMXT2207LEADFREE

更新时间： 2024-09-16 19:56:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 551K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SUPERMINI-6

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CMXT2207LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.23最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

CMXT2207LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMXT2207LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMXT2207  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
DUAL COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXT2207 type is  
a dual complementary silicon transistor manufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
SUPERmini™ surface mount package, and designed  
for small signal general purpose and switching  
applications.  
MARKING CODE: X07  
SOT-26 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
NPN  
PNP  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
V
V
V
75  
40  
60  
60  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
350  
mA  
mW  
°C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
MAX  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
-
UNITS  
I
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
=60V  
=50V  
=60V, T =125°C  
=50V, T =125°C  
=3.0V  
=60V, V =3.0V  
=30V, V =0.5V  
10  
-
-
nA  
nA  
μA  
μA  
nA  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
EBO  
CEV  
CEV  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
CB  
CB  
CB  
CB  
EB  
CE  
CE  
-
-
-
-
-
-
-
10  
-
10  
10  
-
-
-
-
-
-
-
-
10  
-
10  
-
-
50  
-
-
A
A
EB  
BE  
-
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
h
h
h
I =10μA  
75  
40  
6.0  
-
60  
60  
5.0  
-
-
-
C
I =10mA  
C
I =10μA  
-
-
E
I =150mA, I =15mA  
0.3  
1.0  
1.2  
2.0  
-
-
-
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
-
-
-
C
B
B
B
B
I =500mA, I =50mA  
-
C
I =150mA, I =15mA  
0.6  
-
V
V
C
I =500mA, I =50mA  
-
C
V
=10V, I =0.1mA  
35  
50  
75  
100  
50  
40  
300  
-
75  
100  
100  
100  
-
50  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
FE  
FE  
FE  
FE  
C
=10V, I =10mA  
C
=10V, I =150mA  
300  
300  
C
=1.0V, I =150mA  
-
-
-
-
-
-
-
-
C
=10V, I =500mA  
FE  
C
f
f
=20V, I =20mA, f=100MHz  
MHz  
MHz  
T
T
C
=20V, I =50mA, f=100MHz  
200  
C
R3 (12-February 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMXT2207TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
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