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Datasheet > CMST3410LEADFREE
CMST3410LEADFREE PDF预览

CMST3410LEADFREE

更新时间： 2024-11-19 19:49:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 401K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, SUPERMINI-3

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CMST3410LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.36最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CMST3410LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMST3410LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMST3410 NPN  
CMST7410 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY LOW V  
DESCRIPTION:  
CE(SAT)  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3410,  
CMST7410 types are complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a SUPERmini™ surface mount package,  
designed for battery driven, handheld devices requiring  
SILICON TRANSISTORS  
high current and low V  
voltages.  
CE(SAT)  
MARKING CODES: CMST3410: C03  
CMST7410: C07  
SOT-323 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
mW  
°C  
A
V
V
V
40  
25  
6.0  
1.0  
1.5  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
P
275  
-65 to +150  
455  
D
T , T  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
100  
UNITS  
nA  
nA  
V
V
I
I
V
V
=40V  
=6.0V  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
40  
25  
6.0  
C
I =10mA  
C
I =100µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
V
V
V
V
h
h
h
h
I =50mA, I =5.0mA  
25  
40  
80  
190  
290  
360  
30  
50  
95  
205  
320  
400  
50  
75  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
B
B
B
I =100mA, I =10mA  
C
I =200mA, I =20mA  
150  
250  
400  
450  
1.1  
0.9  
C
I =500mA, I =50mA  
C
I =800mA, I =80mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
I =800mA, I =80mA  
C
B
C
C
C
C
C
C
E
V
=1.0V, I =10mA  
=1.0V, I =10mA  
=1.0V, I =100mA  
=1.0V, I =500mA  
=1.0V, I =1.0A  
=10V, I =50mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMST3410)  
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMST7410)  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
V
V
V
V
V
V
V
100  
100  
100  
50  
300  
FE  
FE  
FE  
f
C
C
100  
MHz  
pF  
pF  
T
6.0  
10  
15  
ob  
ob  
10  
E
R2 (1-August 2011)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMST3410TIN/LEAD CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMST3410TR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
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 		Transistor
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