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CMST3410TR PDF预览

CMST3410TR

更新时间： 2024-11-19 19:50:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, SUPERMINI-3

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CMST3410TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.275 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

CMST3410TR 数据手册

 浏览型号CMST3410TR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMST3410 NPN  
CMST7410 PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
SUPERminiTM  
COMPLEMENTARY SILICON  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3410,  
CMST7410 types are complementary silicon  
transistors manufactured by the epitaxial planar  
process, epoxy molded in a SUPERminiTM surface  
mount package, designed for battery driven,  
handheld devices requiring high current and low  
LOW V  
TRANSISTORS  
CE(SAT)  
V
voltages.  
CE(SAT)  
MARKING CODES:  
CMST3410: C03  
CMST7410: C07  
SOT-323 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
40  
25  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
V
V
6.0  
1.0  
1.5  
275  
A
C
Collector Current (Peak)  
Power Dissipation  
I
A
CM  
P
mW  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T T  
J, stg  
-65 to +150  
455  
°C  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMST3410 CMST7410  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
TYP  
MAX  
100  
UNITS  
I
V
V
=40V  
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
I
=6.0V  
100  
EBO  
BV  
I =100µA  
40  
25  
CBO  
C
BV  
I =10mA  
C
V
CEO  
BV  
I =100µA  
6.0  
V
EBO  
E
V
I =50mA, I =5.0mA  
20  
35  
25  
40  
50  
75  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
C
B
V
I =100mA, I =10mA  
CE(SAT)  
C B  
V
I =200mA, I =20mA  
75  
80  
150  
250  
400  
450  
1.1  
0.9  
CE(SAT)  
C
B
V
I =500mA, I =50mA  
130  
200  
250  
150  
220  
275  
CE(SAT)  
C
B
V
I =800mA, I =80mA  
CE(SAT)  
C B  
V
I =1.0A, I =100mA  
C B  
CE(SAT)  
V
I =800mA, I =80mA  
BE(SAT)  
C
B
V
V
=1.0V, I =10mA  
V
BE(ON)  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
h
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =10mA  
C
100  
100  
100  
50  
FE  
h
=1.0V, I =100mA  
300  
FE  
C
h
=1.0V, I =500mA  
C
FE  
h
=1.0V, I =1.0A  
FE  
C
f
=10V, I =50mA, f=100MHz  
C
100  
MHz  
pF  
T
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMST3410)  
10  
15  
ob  
E
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMST7410)  
E
pF  
ob  
R0 (5-April 2005)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMST3410TRLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CMST3904 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT SUPERmini COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTOR
CMST3904_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
CMST3904BK CENTRAL

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 		暂无描述
CMST3904BKLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
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