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CMST3906LEADFREE PDF预览

CMST3906LEADFREE

更新时间： 2024-11-19 19:24:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 402K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC, SUPERMINI-3

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CMST3906LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.18最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

CMST3906LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMST3906LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMST3904 NPN  
CMST3906 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3904,  
CMST3906 types are complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a SUPERmini™ surface mount package,  
designed for small signal general purpose amplifier and  
switching applications.  
MARKING CODES: CMST3904: 1AC  
CMST3906: 2AC  
SOT-323 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
CMST3904  
CMST3906  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
60  
40  
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
200  
275  
mA  
mW  
°C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
455  
J
stg  
,
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMST3904  
CMST3906  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
-
MAX  
MIN  
-
MAX  
UNITS  
I
V
50  
50  
nA  
V
CEV  
CE  
I =10μA  
EB  
BV  
BV  
BV  
60  
40  
6.0  
-
-
40  
40  
5.0  
-
-
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
-
-
V
C
I =10μA  
-
-
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.20  
0.25  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
0.30  
-
0.40  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
-
0.85  
0.65  
-
0.85  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
0.95  
0.95  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
40  
70  
100  
60  
30  
300  
-
60  
80  
100  
60  
30  
250  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
-
-
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
300  
300  
FE  
C
=1.0V, I =50mA  
-
-
-
-
-
-
FE  
C
=1.0V, I =100mA  
FE  
C
f
=20V, I =10mA, f=100MHz  
MHz  
T
C
R4 (10-June 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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