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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> CMST3904TRPBFREE
CMST3904TRPBFREE PDF预览

CMST3904TRPBFREE

更新时间： 2024-11-19 12:59:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 403K
描述
Transistor,

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CMST3904TRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.275 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

CMST3904TRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMST3904TRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMST3904 NPN  
CMST3906 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3904,  
CMST3906 types are complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a SUPERmini™ surface mount package,  
designed for small signal general purpose amplifier and  
switching applications.  
MARKING CODES: CMST3904: 1AC  
CMST3906: 2AC  
SOT-323 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
CMST3904  
CMST3906  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
60  
40  
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
200  
275  
mA  
mW  
°C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
455  
J
stg  
,
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMST3904  
CMST3906  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
-
MAX  
MIN  
-
MAX  
UNITS  
I
V
50  
50  
nA  
V
CEV  
CE  
I =10μA  
EB  
BV  
BV  
BV  
60  
40  
6.0  
-
-
40  
40  
5.0  
-
-
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
-
-
V
C
I =10μA  
-
-
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.20  
0.25  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
0.30  
-
0.40  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
-
0.85  
0.65  
-
0.85  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
0.95  
0.95  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
40  
70  
100  
60  
30  
300  
-
60  
80  
100  
60  
30  
250  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
-
-
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
300  
300  
FE  
C
=1.0V, I =50mA  
-
-
-
-
-
-
FE  
C
=1.0V, I =100mA  
FE  
C
f
=20V, I =10mA, f=100MHz  
MHz  
T
C
R4 (10-June 2010)  
12

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与CMST3904TRPBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMST3906 CENTRAL

获取价格

 		The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3904,
CMST3906BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
CMST3906LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
CMST3906TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
CMST3906TR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
CMST3906TR13LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
CMST3906TRLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
CMST3906TRPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMST5086 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT SUPERmini PNP SILICON TRANSISTORS
CMST5086_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

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