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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMST3906TRLEADFREE
CMST3906TRLEADFREE PDF预览

CMST3906TRLEADFREE

更新时间： 2024-11-19 13:07:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 403K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMST3906TRLEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.18Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

CMST3906TRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMST3906TRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMST3904 NPN  
CMST3906 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3904,  
CMST3906 types are complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a SUPERmini™ surface mount package,  
designed for small signal general purpose amplifier and  
switching applications.  
MARKING CODES: CMST3904: 1AC  
CMST3906: 2AC  
SOT-323 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
CMST3904  
CMST3906  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
60  
40  
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
200  
275  
mA  
mW  
°C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
455  
J
stg  
,
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMST3904  
CMST3906  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
-
MAX  
MIN  
-
MAX  
UNITS  
I
V
50  
50  
nA  
V
CEV  
CE  
I =10μA  
EB  
BV  
BV  
BV  
60  
40  
6.0  
-
-
40  
40  
5.0  
-
-
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
-
-
V
C
I =10μA  
-
-
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.20  
0.25  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
-
0.30  
-
0.40  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
-
0.85  
0.65  
-
0.85  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
0.95  
0.95  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
40  
70  
100  
60  
30  
300  
-
60  
80  
100  
60  
30  
250  
-
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
-
-
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
300  
300  
FE  
C
=1.0V, I =50mA  
-
-
-
-
-
-
FE  
C
=1.0V, I =100mA  
FE  
C
f
=20V, I =10mA, f=100MHz  
MHz  
T
C
R4 (10-June 2010)  
12

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