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CMST3410_11 PDF预览

CMST3410_11

更新时间： 2024-11-19 12:50:51
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CENTRAL 晶体晶体管
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2页 407K
描述
SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS

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CMST3410_11 数据手册

 浏览型号CMST3410_11的Datasheet PDF文件第2页 
CMST3410 NPN  
CMST7410 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY LOW V  
DESCRIPTION:  
CE(SAT)  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3410,  
CMST7410 types are complementary silicon transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a SUPERmini™ surface mount package,  
designed for battery driven, handheld devices requiring  
SILICON TRANSISTORS  
high current and low V  
voltages.  
CE(SAT)  
MARKING CODES: CMST3410: C03  
CMST7410: C07  
SOT-323 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
mW  
°C  
A
V
V
V
40  
25  
6.0  
1.0  
1.5  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
P
275  
-65 to +150  
455  
D
T , T  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
100  
UNITS  
nA  
nA  
V
V
I
I
V
V
=40V  
=6.0V  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
40  
25  
6.0  
C
I =10mA  
C
I =100µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
V
V
V
V
h
h
h
h
I =50mA, I =5.0mA  
25  
40  
80  
190  
290  
360  
30  
50  
95  
205  
320  
400  
50  
75  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
B
B
B
I =100mA, I =10mA  
C
I =200mA, I =20mA  
150  
250  
400  
450  
1.1  
0.9  
C
I =500mA, I =50mA  
C
I =800mA, I =80mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
I =800mA, I =80mA  
C
B
C
C
C
C
C
C
E
V
=1.0V, I =10mA  
=1.0V, I =10mA  
=1.0V, I =100mA  
=1.0V, I =500mA  
=1.0V, I =1.0A  
=10V, I =50mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMST3410)  
=10V, I =0, f=1.0MHz (CMST7410)  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
V
V
V
V
V
V
V
100  
100  
100  
50  
300  
FE  
FE  
FE  
f
C
C
100  
MHz  
pF  
pF  
T
6.0  
10  
15  
ob  
ob  
10  
E
R2 (1-August 2011)  
12

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