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CMPP6027RLEADFREE

更新时间： 2024-09-15 20:45:03
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CENTRAL 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Programmable UJT, SOT-23, 3 PIN

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CMPP6027RLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.25阳极到阴极的最大电压：40 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-50 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值电流最大值：2 µA
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10触发设备类型：PROGRAMMABLE UJT
Valley Current-Min：70 µABase Number Matches：1

CMPP6027RLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPP6027RLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPP6027  
CMPP6028  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
PROGRAMMABLE UNIJUNCTION  
SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The Central Semiconductor CMPP6027, CMPP6028  
types are Silicon Programmable Unijunction  
Transistors, manufactured in a surface mount SOT-  
23 package, designed for adjustable (programmable)  
characteristics such as, Valley Current (I ), Peak  
V
Current (I ), and Intrinsic Standoff Ratio (η).  
P
MARKING CODE: CMPP6027 - P27  
CMPP6028 - P28  
NOTE: Reverse Lead Codes Available, Add “R” to  
the end of the Part #.  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Gate-Cathode Forward Voltage  
Gate-Cathode Reverse Voltage  
Gate-Anode Reverse Voltage  
V
40  
GKF  
GKR  
GAR  
V
V
5.0  
V
40  
V
Anode-Cathode Voltage  
V
40  
5.0  
V
AK  
TSM  
TRM  
TRM  
Peak Non-Repetitive Forward Current (t=10µs)  
Peak Repetitive Forward Current (t=20µs, D.C.=1.0%)  
Peak Repetitive Forward Current (t=100µs, D.C.=1.0%)  
DC Forward Anode Current  
I
A
I
I
2.0  
A
1.0  
A
I
150  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
T
DC Gate Current  
I
50  
G
Power Dissipation  
P
350  
D
Storage Temperature  
T
-55 to +150  
-50 to +100  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMPP6027  
CMPP6028  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
V =40V  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
nA  
µA  
µA  
µA  
µA  
mA  
V
I
I
I
I
I
I
I
10  
50  
10  
50  
GAO  
GKS  
P
S
V =40V  
S
V =10V, R =1.0MΩ  
2.0  
0.15  
1.0  
S
G
V =10V, R =10kΩ  
5.0  
P
S
G
V =10V, R =1.0MΩ  
50  
25  
V
S
G
V =10V, R =10kΩ  
70  
25  
V
S
G
V =10V, R =200Ω  
1.5  
1.0  
V
S
G
V
V
V
V
V =10V, R =1.0MΩ  
0.2 1.6  
0.2 0.6  
1.5  
0.2 0.6  
0.2 0.6  
1.5  
T
T
F
O
S
G
V =10V, R =10kΩ  
V
S
G
I =50mA  
V
F
V =20V, C =0.2µF  
6.0  
6.0  
V
B
C
t
V =20V, C =0.2µF  
80  
80  
ns  
r
B
C
R1 (29-April 2005)  
12

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