5秒后页面跳转
CMPS5061 PDF预览

CMPS5061

更新时间: 2024-09-15 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 229K
描述
SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER

CMPS5061 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.86Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:5 mA
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
最大漏电流:0.05 mA元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:510 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:0.8 A
断态重复峰值电压:100 V重复峰值反向电压:100 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

CMPS5061 数据手册

 浏览型号CMPS5061的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPS5061  
CMPS5062  
CMPS5063  
CMPS5064  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
DESCRIPTION:  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPS5061  
Series types are epoxy molded PNPN Silicon  
Controlled Rectifiers manufactured in an SOT-23  
case, designed for control systems and sensing  
circuit applications.  
Marking codes are P2A, P2B, P2C, and P2D  
respectively.  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL CMPS5061 CMPS5062 CMPS5063 CMPS5064 UNITS  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
RMS On-State Current  
V
V
100  
100  
200  
200  
300  
300  
400  
400  
V
V
A
A
mW  
DRM  
RRM  
I
0.8  
0.51  
350  
T(RMS)  
Average On-State Current (T =67°C)  
I
C
T(AV)  
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMPS5061 CMPS5062 CMPS5063 CMPS5064  
SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAN UNITS  
I
I
I
I
V =Rated V , R =1K  
DRM GK  
1.0  
1.0  
50  
1.0  
1.0  
50  
1.0  
1.0  
50  
1.0  
1.0  
50  
µA  
µA  
µA  
µA  
V
µA  
V
V
DRM  
RRM  
DRM  
RRM  
D
V =Rated V  
, R =1K  
D
D
DRM GK  
DRM GK  
V =Rated V  
, R =1K , T =125°C  
C
V =Rated V  
, R =1K , T =125°C  
50  
50  
50  
50  
D
DRM GK  
C
V
I =1.2A  
1.7  
200  
0.8  
1.7  
200  
0.8  
1.7  
200  
0.8  
1.7  
200  
0.8  
T
T
I
V =7.0V, R =100 , R =1K  
GK  
GT  
D
L
V
V
I
t
V =7.0V, R =100 , R =1K  
GT  
GD  
H
D
L
GK  
V = Rated V  
, R =100 , T =125°C 0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
D
DRM  
L
C
V =7.0, R =1K  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
mA  
D
GK  
V = Rated V  
, I =1.0mA, R =1.0 ,  
DRM GT GK  
ON  
D
di/dt=6.0A/µs  
2.8 TYP 2.8 TYP 2.8 TYP 2.8 TYP µs  
R6 ( 12-June 2001)  

与CMPS5061相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPS5061_09 CENTRAL

获取价格

SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER
CMPS5061_11 CENTRAL

获取价格

SURFACE MOUNT SILICON CONTROLLED RECTIFIER
CMPS5061BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 100V V(DRM)
CMPS5061BKPBFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
CMPS5061LEADFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
CMPS5061PBFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
CMPS5061TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

Silicon Controlled Rectifier,
CMPS5061TR13 CENTRAL

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 160mA I(T), 100V V(DRM)
CMPS5061TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 100V V(DRM)
CMPS5061TRPBFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述