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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> CMPF5486LEADFREE
CMPF5486LEADFREE PDF预览

CMPF5486LEADFREE

更新时间： 2024-09-07 13:02:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 326K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, SOT-23, 3 PIN

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CMPF5486LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.13配置：SINGLE
最大漏极电流 (ID)：0.03 AFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：1 pF最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：16 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CMPF5486LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPF5486LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPF5484  
CMPF5485  
CMPF5486  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL  
SILICON JFET  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPF5484 Series  
types are surface mount, N-Channel JFETs designed  
for RF amplifier and mixer applications. These devices  
will operate well in the VHF/UHF frequency range.  
MARKING CODES:  
CMPF5484: 6B  
CMPF5485: 6B1  
CMPF5486: 6H  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Gate-Drain Voltage  
V
V
25  
GD  
GS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
25  
30  
V
I
mA  
mA  
mW  
°C  
D
G
Gate Current  
I
10  
Power Dissipation  
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CMPF5484  
MIN MAX  
CMPF5485  
MIN MAX  
CMPF5486  
MIN MAX  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
nA  
μA  
mA  
V
I
I
I
V
V
V
=20V  
-
1.0  
0.2  
5.0  
-
-
1.0  
0.2  
10  
-
-
1.0  
0.2  
20  
-
GSS  
GSS  
DSS  
GS  
GS  
DS  
=20V, T =100°C  
A
=15V  
-
-
-
1.0  
4.0  
8.0  
BV  
I =1.0μA  
25  
25  
25  
GSS  
GS(off)  
FS  
G
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=15V, I =10nA  
0.3  
3.0  
6.0  
50  
5.0  
2.0  
1.0  
100  
-
0.5  
4.0  
7.0  
60  
5.0  
2.0  
1.0  
-
2.0  
6.0  
8.0  
75  
5.0  
2.0  
1.0  
-
V
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
D
g
=15V, V =0, f=1.0KHz  
3.0  
3.5  
4.0  
mS  
μS  
pF  
GS  
Y
=15V, V =0, f=1.0KHz  
GS  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
-
-
-
os  
C
C
C
R
R
R
R
R
R
-
-
-
iss  
GS  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=15V, V =0, f=1.0MHz  
-
-
-
pF  
oss  
-
-
-
pF  
rss  
GS  
=15V, V =0, f=100MHz  
GS  
=15V, V =0, f=400MHz  
-
-
-
μS  
mS  
μS  
μS  
mS  
mS  
e(yis)  
e(yis)  
e(yos)  
e(yos)  
e(yis)  
e(yis)  
-
-
1.0  
-
-
1.0  
-
GS  
=15V, V =0, f=100MHz  
GS  
=15V, V =0, f=400MHz  
-
-
75  
-
-
-
-
-
100  
-
100  
-
GS  
=15V, V =0, f=100MHz  
GS  
=15V, V =0, f=400MHz  
2.5  
-
-
-
-
-
3.0  
-
3.5  
-
GS  
R5 (27-January 2010)  
12

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