是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.11 | 配置: | SINGLE |
最大漏极电流 (ID): | 0.03 A | FET 技术: | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss): | 1 pF | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.35 W |
最小功率增益 (Gp): | 10 dB | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CMPF5486TR13 | CENTRAL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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CMPF5486TRLEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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CMPF5486TRPBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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CMPFCD86 | CHAMP |
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PFC Diode (8A/600V) |
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CMPFCD86_11 | CHAMP |
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PFC Diode (8A/600V) |
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CMPFCD86GN220 | CHAMP |
获取价格 |
PFC Diode (8A/600V) |
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CMPFCD86GN220FP | CHAMP |
获取价格 |
PFC Diode (8A/600V) |
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CMPFCD86XN220 | CHAMP |
获取价格 |
PFC Diode (8A/600V) |
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CMPFJ174 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT SILICON P-CHANNEL JFET |
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CMPFJ174BK | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, |
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