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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CMPDM7120GBK
CMPDM7120GBK PDF预览

CMPDM7120GBK

更新时间： 2024-02-05 01:57:42
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 331K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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CMPDM7120GBK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

CMPDM7120GBK 数据手册

 浏览型号CMPDM7120GBK的Datasheet PDF文件第2页 
CMPDM7120G  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM7120G  
is an Enhancement-mode N-Channel Field Effect  
Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS  
Process, designed for high speed pulsed amplifier and  
driver applications. This MOSFET offers low r  
and low threshold voltage.  
DS(ON)  
MARKING CODE: C71G  
SOT-23 CASE  
FEATURES:  
Device is Halogen Free by design  
•
ESD protection up to 2kV  
•
•
Low r  
(0.25Ω MAX @ V =1.5V)  
DS(ON)  
GS  
APPLICATIONS:  
Load/Power switches  
Power supply converter circuits  
Battery powered portable equipment  
High current (I =1.0A)  
D
Logic level compatibility  
•
•
•
•
•
• Small SOT-23 package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Drain-Source Voltage  
V
V
20  
8.0  
DS  
GS  
Gate-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs  
Power Dissipation  
I
1.0  
A
D
I
4.0  
A
DM  
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
μA  
μA  
V
V
V
Ω
Ω
Ω
S
I
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=8.0V, V =0  
10  
10  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
GS  
DS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
DS  
=20V, V =0  
GS  
DSS  
BV  
=0, I =250μA  
20  
DSS  
GS(th)  
SD  
D
V
V
=10V, I =1.0mA  
0.5  
1.2  
1.1  
D
=0, I =1.0A  
S
r
r
r
=4.5V, I =0.5A  
0.075  
0.10  
0.17  
4.2  
0.10  
0.14  
0.25  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=2.5V, I =0.5A  
D
=1.5V, I =0.1A  
D
g
=10V, I =0.5A  
FS  
D
C
C
C
=10V, V =0, f=1.0MHz  
45  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
rss  
iss  
GS  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
220  
120  
25  
oss  
GS  
t
t
=10V, V =5.0V, I =0.5A  
GS  
=10V, V =5.0V, I =0.5A  
on  
off  
D
140  
GS  
D
R1 (27-January 2010)  
12

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