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CMPDM8002ATR13LEADFREE PDF预览

CMPDM8002ATR13LEADFREE

更新时间： 2024-02-03 17:00:52
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页数 文件大小 规格书
2页 324K
描述
Transistor

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CMPDM8002ATR13LEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

CMPDM8002ATR13LEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPDM8002ATR13LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPDM8002A  
SURFACE MOUNT  
P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM8002A  
is an Enhancement-mode P-Channel Field Effect  
Transistor, manufactured by the P-Channel DMOS  
Process, designed for high speed pulsed amplifier and  
driver applications.  
MARKING CODE: C802A  
FEATURES:  
SOT-23 CASE  
• Low r  
DS(ON)  
• Low V  
DS(ON)  
APPLICATIONS:  
• Load/Power switches  
• Power supply converter circuits  
• Battery powered portable equipment  
• Low threshold voltage  
• Fast switching  
• Logic level compatibility  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
50  
50  
DS  
DG  
GS  
Drain-Gate Voltage  
V
V
V
V
Gate-Source Voltage  
20  
Continuous Drain Current  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Drain Current  
Maximum Pulsed Source Current  
Power Dissipation  
I
280  
mA  
mA  
A
D
I
280  
S
I
1.5  
DM  
I
1.5  
A
SM  
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=20V, V =0  
100  
nA  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
DS  
=50V, V =0  
GS  
1.0  
μA  
μA  
mA  
V
DSS  
=50V, V =0, T =125°C  
500  
DSS  
GS  
J
=10V, V =10V  
500  
50  
D(ON)  
DS  
BV  
=0, I =10μA  
D
DSS  
GS(th)  
DS(ON)  
DS(ON)  
SD  
V
V
V
V
=V , I =250μA  
1.0  
2.5  
1.5  
0.15  
1.3  
2.5  
4.0  
3.0  
5.0  
V
DS GS  
D
=10V, I =500mA  
V
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
D
=5.0V, I =50mA  
V
D
=0, I =115mA  
V
S
r
r
r
r
=10V, I =500mA  
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=10V, I =500mA, T =125°C  
Ω
D
J
=5.0V, I =50mA  
Ω
D
=5.0V, I =50mA, T =125°C  
Ω
D
J
R1 (27-January 2010)  
12

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