5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CMPDM7003
CMPDM7003 PDF预览

CMPDM7003

更新时间： 2024-02-21 18:00:44
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 329K
描述
SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

CMPDM7003 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

CMPDM7003 数据手册

 浏览型号CMPDM7003的Datasheet PDF文件第2页 
CMPDM7003  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM7003 is  
an Enhancement-mode N-Channel Field Effect  
Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS  
Process, designed for high speed pulsed amplifier and  
driver applications. This MOSFET offers low r  
and ESD protection up to 2kV.  
DS(ON)  
MARKING CODE: C7003  
FEATURES:  
• ESD protection up to 2kV  
SOT-23 CASE  
• Low r  
DS(ON)  
• Low V  
DS(ON)  
APPLICATIONS:  
• Load/Power switches  
• Power supply converter circuits  
• Battery powered portable equipment  
• Low threshold voltage  
• Fast switching  
• Logic level compatibility  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Drain-Source Voltage  
V
50  
50  
DS  
DG  
GS  
Drain-Gate Voltage  
V
V
V
Gate-Source Voltage  
12  
V
Continuous Drain Current  
Maximum Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
I
280  
mA  
A
D
I
1.5  
DM  
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
μA  
μA  
nA  
V
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V  
=10V  
=12V  
100  
2.0  
2.0  
50  
GSSF, GSSR  
GS  
GS  
GS  
DS  
GS  
I
GSSF, GSSR  
I
GSSF, GSSR  
=50V, V =0  
GS  
DSS  
BV  
=0, I =10μA  
50  
DSS  
GS(th)  
SD  
D
V
V
=V , I =250μA  
0.49  
1.0  
1.4  
3.0  
2.5  
2.0  
V
DS GS  
D
=0, I =115mA  
V
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
S
r
r
r
=1.8V, I =50mA  
1.6  
1.3  
1.1  
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=2.5V, I =50mA  
Ω
D
=5.0V, I =50mA  
Ω
D
g
=10V, I =200mA  
200  
mS  
pF  
pF  
pF  
FS  
D
C
C
C
=25V, V =0, f=1.0MHz  
5.0  
50  
25  
rss  
iss  
GS  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
R1 (27-January 2010)  
12

中文翻译

下载PDF

与CMPDM7003相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPDM7003BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
CMPDM7003BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMPDM7003BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
CMPDM7003TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
CMPDM7003TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
CMPDM7120 CENTRAL

获取价格

 		1A,20V Surface mount MOSFET N-Channel Enhancement Mode
CMPDM7120G CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMPDM7120GBK CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
CMPDM7120GBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
CMPDM7120GBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与CMPDM7003相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证