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CMPDM7002AHCTRPBFREE

更新时间： 2023-02-26 14:01:46
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 379K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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CMPDM7002AHCTRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

CMPDM7002AHCTRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMPDM7002AHCTRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPDM7002AHC  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL  
www.centralsemi.com  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM7002AHC  
is a High Current version of the 2N7002A Enhancement-  
mode N-Channel MOSFET, designed for high speed  
pulsed amplifier and driver applications.  
MARKING CODE: 702H  
SOT-23 CASE  
FEATURES:  
• Device is Halogen Free by design  
• ESD Protection up to 2kV  
• 350mW Power Dissipation  
APPLICATIONS:  
• Load/Power Switches  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Equipment  
• Low r  
: 0.22Ω MAX @ V =10V  
GS  
DS(ON)  
• Industry Standard SOT-23 Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current (tp=10μs)  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
mW  
°C  
A
V
V
V
60  
60  
20  
1.0  
5.0  
DS  
DG  
GS  
I
D
I
P
DM  
350  
-65 to +150  
357  
D
stg  
T , T  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=20V, V =0  
10  
500  
μA  
nA  
V
V
V
GSSF GSSR  
GS  
DS  
GS  
DS  
I
=60V, V =0  
GS  
DSS  
BV  
=0, I =100μA  
63  
1.2  
DSS  
GS(th)  
SD  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
V
V
r
r
Q
Q
Q
C
C
C
=V , I =250μA  
2.3  
0.9  
0.22  
0.30  
DS GS  
D
=0, I =500mA  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
S
=10V, I =500mA  
0.15  
0.20  
2.3  
1.0  
0.7  
Ω
Ω
D
D
GS  
GS  
GS  
GS  
=5.0V, I =500mA  
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
nC  
nC  
nC  
pF  
pF  
pF  
g(tot)  
gs  
D
D
D
gd  
rss  
iss  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
25  
240  
50  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
t
=30V, V =4.5V, I =1.0A  
GS  
on  
D
R =6.0Ω, R =30Ω  
35  
50  
ns  
G
L
t
V
=30V, V =4.5V, I =1.0A  
GS  
off  
DD  
D
R =6.0Ω, R =30Ω  
ns  
G
L
R2 (2-August 2011)  
12

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