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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CMPDM7002A
CMPDM7002A PDF预览

CMPDM7002A

更新时间： 2024-09-26 22:50:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SURFACE MOUNT MOSFET

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CMPDM7002A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A最大漏极电流 (ID)：0.28 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CMPDM7002A 数据手册

 浏览型号CMPDM7002A的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPDM7002A  
Central  
Semiconductor Corp.  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SURFACE MOUNT MOSFET  
DESCRIPTION:  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPDM7002A is special version of the 2N7002  
Enhancement-mode N-Channel Field Effect  
Transistor, manufactured by the N-Channel  
DMOS Process, designed for high speed pulsed  
amplifier and driver applications. This special  
device offers low r  
Marking Code is C702A.  
and low V  
DS (ON).  
DS(ON)  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Drain-Source Voltage  
V
60  
60  
DS  
DG  
GS  
Drain-Gate Voltage  
V
V
V
Gate-Source Voltage  
40  
V
Continuous Drain Current  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Drain Current  
Maximum Pulsed Source Current  
Power Dissipation  
I
280  
280  
1.5  
1.5  
350  
mA  
mA  
A
D
I
S
I
DM  
I
A
SM  
P
mW  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
1.0  
UNITS  
nA  
nA  
µA  
µA  
mA  
V
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=20V, V =0V  
DS  
GSSF  
GSSR  
DSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
=20V, V =0V  
DS  
=60V, V =0V  
GS  
=60V, V =0V, T =125°C  
500  
DSS  
GS  
DS  
j
=10V, V  
≥ 2V  
500  
60  
D(ON)  
DS(ON)  
BV  
GS(th)  
=0V, I =10µA  
DSS  
D
V
V
V
=V , I =250µA  
1.0  
2.5  
1.0  
0.15  
2.0  
3.5  
3.0  
5.0  
V
DS GS D  
=10V, I =500mA  
V
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
D
=5.0V, I =50mA  
V
D
r
r
r
r
=10V, I =500mA  
Ω
D
=10V, I =500mA, T =125°C  
Ω
Ω
Ω
D
j
=5.0V, I =50mA  
D
=5.0V, I =50mA, T =125°C  
D
j
g
≥ 2V  
, I =200mA  
DS(ON) D  
80  
mmhos  
pF  
pF  
pF  
ns  
FS  
C
C
C
=25V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
5.0  
50  
25  
20  
20  
1.2  
rss  
iss  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
t
t
=30V, V =10V, I =200mA,  
GS  
on  
D
R =25Ω, R =150Ω  
ns  
off  
G
L
V
V
=0V, I =400mA  
V
SD  
GS  
S
R0 ( 05-December 2001)  
12

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