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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NDS7002A
NDS7002A PDF预览

NDS7002A

更新时间： 2024-11-24 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 538K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS7002A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.28
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A最大漏极电流 (ID)：0.28 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS7002A 数据手册

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November 1995  
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
High density cell design for low RDS(ON)  
.
These N-Channel enhancement mode field effect transistors  
are produced using Fairchild's proprietary, high cell density,  
DMOS technology. These products have been designed to  
minimize on-state resistance while provide rugged, reliable,  
and fast switching performance. They can be used in most  
applications requiring up to 400mA DC and can deliver  
pulsed currents up to 2A. These products are particularly  
suited for low voltage, low current applications such as small  
servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other  
switching applications.  
Voltage controlled small signal switch.  
Rugged and reliable.  
High saturation current capability.  
___________________________________________________________________________________________  
D
G
D
G
S
TO-92  
S
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
2N7000  
2N7002  
60  
NDS7002A  
Symbol  
Parameter  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
V
V
60  
VDGR  
VGSS  
Drain-Gate Voltage (RGS < 1 MW)  
Gate-Source Voltage - Continuous  
V
±20  
- Non Repetitive (tp < 50µs)  
±40  
115  
800  
200  
1.6  
ID  
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
200  
500  
400  
3.2  
280  
1500  
mA  
PD  
Maximum Power Dissipation  
Derated above 25oC  
300  
mW  
mW/°C  
°C  
2.4  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
-65 to 150  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds  
300  
625  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
312.5  
417  
°C/W  
R
JA  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N7000.SAM Rev. A1  
1234567...14

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NDS7002A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDS7002A_NB9GGTXA FAIRCHILD

类似代替

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