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CMPDM7002A_10

更新时间： 2024-02-18 14:53:06
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2页 327K
描述
SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

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CMPDM7002A_10 数据手册

 浏览型号CMPDM7002A_10的Datasheet PDF文件第2页 
CMPDM7002A  
CMPDM7002AG*  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM7002A  
and CMPDM7002AG are special versions of the  
2N7002 Enhancement-mode N-Channel Field Effect  
Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS  
Process, designed for high speed pulsed amplifier and  
driver applications. These special devices offer low  
r
and low V  
DS(ON)  
DS (ON).  
MARKING CODES: CMPDM7002A:  
C702A  
CMPDM7002AG*: 702G  
SOT-23 CASE  
Device is Halogen Free by design  
*
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Drain Current  
Maximum Pulsed Source Current  
Power Dissipation  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
A
V
V
V
I
I
60  
60  
40  
280  
280  
DS  
DG  
GS  
D
S
V
mA  
mA  
A
A
mW  
°C  
I
I
P
1.5  
1.5  
350  
-65 to +150  
357  
DM  
SM  
D
stg  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
J
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
1.0  
UNITS  
nA  
μA  
μA  
mA  
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
mS  
pF  
pF  
pF  
I
I
I
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=20V, V =0  
GSSF GSSR  
DSS  
DSS  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
DS  
=60V, V =0  
GS  
=60V, V =0, T =125°C  
500  
GS  
J
=10V, V =10V  
DS  
500  
60  
1.0  
D(ON)  
BV  
=0, I =10μA  
D
DSS  
GS(th)  
DS(ON)  
DS(ON)  
SD  
V
V
V
V
=V , I =250μA  
2.5  
1.0  
0.15  
1.2  
2.0  
3.5  
3.0  
5.0  
DS GS  
D
D
D
=10V, I =500mA  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
=5.0V, I =50mA  
=0, I =400mA  
S
r
r
r
r
=10V, I =500mA  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
FS  
rss  
iss  
D
D
D
D
D
GS  
GS  
GS  
=10V, I =500mA, T =125°C  
=5.0V, I =50mA  
=5.0V, I =50mA, T =125°C  
=10V, I =200mA  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
=30V, V =10V, I =200mA,  
GS  
J
J
g
80  
C
C
C
5.0  
50  
25  
oss  
, t  
t
on off  
D
R =25Ω, R =150Ω  
20  
ns  
G
L
R4 (27-January 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPDM7002AE CENTRAL

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 		60V, 300mA N-Channel MOSFET in SOT-23 package
CMPDM7002AE_1310 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
CMPDM7002AEPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
CMPDM7002AG CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMPDM7002AGBK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
CMPDM7002AGBKLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
CMPDM7002AGTR CENTRAL

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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