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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.01 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.28 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.28 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMPDM7002AE_1310 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET |
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| CMPDM7002AEPBFREE | CENTRAL |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| CMPDM7002AG | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET |
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| CMPDM7002AGBK | CENTRAL |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| CMPDM7002AGBKLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| CMPDM7002AGPBFREE | CENTRAL |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| CMPDM7002AGTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| CMPDM7002AGTR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| CMPDM7002AGTR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| CMPDM7002AGTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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