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CMLDM8002AGTRPBFREE

更新时间： 2024-11-12 10:47:59
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 518K
描述
Transistor,

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CMLDM8002AGTRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES

CMLDM8002AGTRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMLDM8002AGTRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMLDM8002A  
CMLDM8002AG*  
CMLDM8002AJ  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
DUAL P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
DESCRIPTION:  
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are  
dual chip Enhancement-mode P-Channel Field Effect  
Transistors, manufactured by the P-Channel DMOS  
Process, designed for high speed pulsed amplifier and  
driver applications. The CMLDM8002A utilizes the USA  
pinout configuration, while the CMLDM8002AJ, utilizing  
the Japanese pinout configuration, is available as a  
special order. These special Dual Transistor devices  
offer Low r  
and Low V .  
DS(on)  
DS(on)  
SOT-563 CASE  
MARKING CODES: CMLDM8002A:  
C08  
CMLDM8002AG*: CG8  
CMLDM8002AJ: CJ8  
Device is Halogen Free by design  
*
FEATURES:  
• Dual Chip Device  
• Fast Switching  
• Logic Level Compatible  
• Small SOT-563 package  
APPLICATIONS:  
• Load/Power Switches  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Equipment  
• Low r  
• Low V  
DS(on)  
DS(on)  
• Low Threshold Voltage  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
A
Drain-Source Voltage  
V
50  
50  
V
V
DS  
DG  
GS  
Drain-Gate Voltage  
V
V
Gate-Source Voltage  
20  
V
Continuous Drain Current  
I
280  
mA  
mA  
A
D
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Drain Current  
Maximum Pulsed Source Current  
Power Dissipation (Note 1)  
Power Dissipation (Note 2)  
Power Dissipation (Note 3)  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
I
280  
S
I
1.5  
DM  
I
1.5  
A
SM  
P
P
P
350  
mW  
mW  
mW  
°C  
D
D
D
300  
150  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
1.0  
UNITS  
nA  
I
I
I
I
, I  
V
V
V
V
=20V, V =0  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
DS  
GS  
GS  
DS  
=50V, V =0  
GS  
μA  
DSS  
=50V, V =0, T =125°C  
500  
μA  
DSS  
GS  
J
=10V, V =10V  
500  
mA  
D(ON)  
DS  
BV  
V
V
=0, I =10μA  
50  
1.0  
V
V
DSS  
D
V
=V , I =250μA  
DS GS  
2.5  
GS(th)  
D
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm2  
R3 (18-January 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLDM8002AJ CENTRAL

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CMLDM8005TRPBFREE CENTRAL

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