5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CMLDM8005TIN/LEAD
CMLDM8005TIN/LEAD PDF预览

CMLDM8005TIN/LEAD

更新时间： 2024-11-11 13:02:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 586K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

CMLDM8005TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.74JESD-609代码：e0
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED端子面层：TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CMLDM8005TIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CMLDM8005TIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
CMLDM8005  
SURFACE MOUNT  
DUAL P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFETS  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM8005  
consists of Dual P-Channel Enhancement-mode silicon  
MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier  
and driver applications. These MOSFETs offer Very  
Low r  
and Low Threshold Voltage.  
DS(ON)  
MARKING CODE: CC8  
FEATURES:  
• ESD Protection up to 2kV  
• 350mW Power Dissipation  
SOT-563 CASE  
• Very Low r  
• Low Threshold Voltage  
• Logic Level Compatible  
DS(ON)  
APPLICATIONS:  
• Load Switch / Level Shifting  
• Battery Charging  
• Small, SOT-563 Surface Mount Package  
• Complementary Dual N-Channel Device: CMLDM7005  
• Boost Switch  
• Electro-luminescent Backlighting  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
20  
8.0  
DS  
Gate-Source Voltage  
V
V
mA  
mA  
A
GS  
Continuous Drain Current (Steady State - Note 1)  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Drain Current  
Power Dissipation (Note 1)  
I
650  
D
I
250  
S
I
1.0  
DM  
P
P
P
350  
mW  
mW  
mW  
°C  
D
D
D
Power Dissipation (Note 2)  
300  
Power Dissipation (Note 2)  
150  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance (Note 1)  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
=4.5V, V =0  
10  
μA  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
GS  
DS  
I
=16V, V =0  
GS  
100  
nA  
V
DSS  
BV  
=0, I =250μA  
20  
DSS  
GS(th)  
SD  
D
V
V
=V , I =250μA  
0.5  
1.0  
1.1  
V
DS GS  
D
=0, I =250mA  
V
GS  
GS  
GS  
GS  
S
r
r
r
=4.5V, I =350mA  
0.25  
0.37  
0.36  
0.5  
Ω
Ω
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=2.5V, I =300mA  
D
=1.8V, I =150mA  
0.8  
D
2
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm  
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm  
2
R3 (27-September 2011)  
12

中文翻译

下载PDF

与CMLDM8005TIN/LEAD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLDM8005TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
CMLDM8005TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLDM8005TRTIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CMLDM8120 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMLDM8120BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
CMLDM8120BKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
CMLDM8120BKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMLDM8120G CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMLDM8120GBK CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMLDM8120GBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor

与CMLDM8005TIN/LEAD相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证