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CM80N06

更新时间： 2024-09-17 17:01:47

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晶导 - JINGDAO		/
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TO-220

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CM80N06 数据手册

CM80N06

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

www.jdsemi.cn

POWER MOSFET

1、主要参数 Main Characteristics

2、用途 Applications

V_DSS

I_D



高频开关电源 High frequency switching mode

power supply

P_D

200

5.3

R_DSONTYP

mΩ



DC/DC 变换器 DC/DC Converter

高频开关与同步整改 high-frequency switching

and synchronous rectification

TO-220



UPS 电源 Uninterruptible Power Supply

PFC 功率因数校正 Power Factor Correction

3、产品特性 Features



超低通态电阻的高密度单元设计 High density cell

design for ultra low Rdson



低 Crss (典型值 12pF) Low Crss (typical 12pF )

低栅漏电荷降低开关损耗 Low gate to drain charge to reduce

1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)

switching losses



产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested

高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability

RoHS 产品 RoHS product

4．电特性 Electrical Characteristics

4.1极限值 Absolute Ratings (T_C= 25℃)

参数名称 Parameter

漏极-源极电压

符号 Symbol

额定值 Value

单位 Unit

V_DSS

Drain-Source Voltage

T_C= 25 °C

连续漏极电流

I_D

I_DM

Drain Current -continuous

T_C= 100 °C

1^）

最大脉冲漏极电流^（注

320

±20

300

3.0

^（note 1^）

Drain Current - pulse

栅源电压

V_GS

Gate-Source Voltage

^（注4^）

单脉冲雪崩能量

E_AS

V/ns

^（note 4^）

Single Pulsed Avalanche Energy

二极管反向恢复最大电压变化速率

Peak Diode Recovery dv/dt

耗散功率

dv/dt

P_D

200

Power Dissipation

结温，贮存温度

T_j，T_stg

150，-55～150

℃

Operating and Storage Temperature Range

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

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