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CHA3666-QAG

更新时间： 2024-11-12 03:25:27

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12页	316K
描述
5.8-17GHz Low Noise Amplifier

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CHA3666-QAG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	MO-220, QFN-16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	构造：	COMPONENT
增益：	19 dB	最大输入功率 (CW)：	10 dBm
最大工作频率：	17000 MHz	最小工作频率：	5800 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER

CHA3666-QAG 数据手册

CHA3666-QAG

RoHS COMPLIANT

5.8-17GHz Low Noise Amplifier

GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package

Description

The CHA3666-QAG is a two-stage self-biased

wide band monolithic low noise amplifier.

The circuit is manufactured with a standard

pHEMT process: 0.25µm gate length, via

holes through the substrate, air bridges and

electron beam gate lithography.

It is supplied in lead-free package.

Gain & NF @Config; P1=N2=grounded

Main Features

■ Broadband performance 6-17GHz

■ 1.8dB noise figure

■ 26dBm 3^rdorder intercept point

■ 16dBm power at 1dB compression

■ 21dB gain

■ Low DC power consumption

■ 16L-QFN3X3 SMD package

10 12 14 16 18 20

Frequency (GHz)

Main Characteristics

Temp = +25°C, Vd1=Vd2= +4V, P1& N2=GND

Symbol

Parameter

Min

Typ

1.8

Max

Unit

Noise figure

Gain

IP3

3rd order intercept point

dBm

ESD Protections: Electrostatic discharge sensitive device observe handling precautions!

Ref. : DSCHA3666-QAG8108 - 17 Apr 08

1/12

Specifications subject to change without notice

United Monolithic Semiconductors S.A.S.

Route Départementale 128 - BP46 - 91401 Orsay Cedex France

Tel.: +33 (0) 1 69 33 03 08 - Fax: +33 (0) 1 69 33 03 09

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