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CFY25-17

更新时间： 2024-01-28 17:41:37

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6页	162K
描述
GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)

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CFY25-17 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.08 A	最大漏极电流 (ID)：	0.08 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.25 W	最小功率增益 (Gp)：	9.5 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

CFY25-17 数据手册

GaAs FET

CFY 25

● Low noise

● High gain

● For front-end amplifiers

● lon-implanted planar structure

● All gold metallization

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Package¹⁾

Micro-X

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

CFY 25-17

CFY 25-20

CFY 25-23

C 5

C 6

C 7

Q62703-F106

Q62703-F107

Q62703-F108

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Drain current

– 5 … + 0

˚C

Total power dissipation, T^S≤ 56 ˚C²⁾

Channel temperature

Storage temperature range

tot

250

150

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Channel - soldering point²⁾

Rth chS

375

K/W

For detailed information see chapter Package Outlines.

TS is measured on the source lead at the soldering point to the pcb.

07.94

Semiconductor Group

12 3 4 5 6

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