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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.08 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.35 W | 子类别： | Other Transistors |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CFY25 | INFINEON |
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GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All |
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| CFY25-17 | INFINEON |
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GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All |
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| CFY25-20 | INFINEON |
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GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All |
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| CFY25-20H | INFINEON |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| CFY25-20P | INFINEON |
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HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET |
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| CFY25-20P(SAM) | INFINEON |
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暂无描述 |
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| CFY25-20PES | INFINEON |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| CFY25-20S | INFINEON |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| CFY25-23 | INFINEON |
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GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All |
|
| CFY25-23ES | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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