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CDSV6-4448D-G

更新时间： 2024-11-16 07:19:27
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
SMD Switching Diode

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CDSV6-4448D-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.72 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向电流：50 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：75 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CDSV6-4448D-G 数据手册

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SMD Switching Diode  
CDSV6-4448D-G  
RoHS Device  
Features  
-Fast switching speed.  
SOT-363  
-Ultra-small surface mount package.  
-For general purpose switching applications.  
-High conductance power dissipation.  
0.087(2.20)  
0.079(2.00)  
0.053(1.35)  
0.045(1.15)  
Mechanical data  
-Case:SOT-363, molded plastic.  
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
-Terminals: Solder plated, solderable per  
MIL-STD-750,method 2026.  
-Mounting position: Any.  
-Weight: 0.0091 gram (approx.)  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.039(1.00)  
0.035(0.90)  
0.096(2.45)  
0.085(2.15)  
Marking: KA3  
C
A
1
NC  
A
C
2
0.004(0.10)max  
0.014(0.35)  
0.006(0.15)  
0.010(0.26)  
K A3  
Dimensions in inches and (millimeter)  
1
NC  
2
Maximum Ratings (at Ta=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Non-repetitive peak reverse voltage  
VRM  
100  
V
Peak repetitive reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
DC Blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
75  
V
RMS Reverse voltage  
VR(RMS)  
IFM  
53  
V
Forward continuous current  
Average rectified output current  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
@ t < 1us  
@ t < 1s  
4
Non-repetitive peak forward surge current  
IFSM  
A
2
Power dissipation  
Pd  
200  
625  
mW  
Thermal resistance junction to ambient air  
Operating and storage temperature range  
RθJA  
°C/W  
°C  
Tj,TSTG  
-65 to +150  
Electrical Characteristics (at Ta=25°C unless otherwise noted)  
Typ  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Max  
Unit  
Min  
Reverse breakdown voltage  
IR = 10uA  
VBR  
75  
V
IF = 50mA  
IF = 10mA  
IF = 50mA  
IF = 150mA  
0.62  
0.720  
0.855  
1.0  
Forward voltage  
Reverse current  
VF  
IR  
V
1.25  
2.5  
50  
30  
25  
uA  
uA  
uA  
nA  
VR = 75V  
VR = 75V, TJ = 150°C  
VR = 25V, TJ = 150°C  
VR = 20V  
Diode junction Capacitance  
Reverse recovery time  
pF  
VR = 0, f = 1.0MHz  
CJ  
4.0  
IF = IR = 10mA  
Irr = 0.1 X IR,RL = 100Ω  
Trr  
4.0  
nS  
REV:B  
Page 1  
QW-B0044  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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