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CDSV6-4448S2

更新时间： 2024-11-15 22:16:35
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 106K
描述
Surface Mount Fast Switching Diode Array

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CDSV6-4448S2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
配置：2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：4端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：80 V最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

CDSV6-4448S2 数据手册

 浏览型号CDSV6-4448S2的Datasheet PDF文件第2页 
Surface Mount Fast Switching Diode Array  
CCOOMMCCHHIIPP  
www.comchiptech.com  
CDSV5-4448C2  
CDSV6-4448A2 / S2  
Current :500 mA Voltage:100 Volts  
Features  
Fast Switching Speed  
SOT-363/SOT-353  
0.10/0.30  
Ultra-Small Surface Mount Package  
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
Orientation Indicato  
r
applies only to parts  
where shown below  
1.15/1.35 2.00/2.20  
Features  
Case: SOT-353 and SOT-363, Molded Plastic  
This pin omitted  
for SOT-353  
Case Material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
1.80/2.20  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,Method 208  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
0.90/1.0  
Max0.10  
0.10/0.25  
0.65 Nominal  
AC  
1
A1  
A2  
C
A
C2  
A2  
C1  
C2  
All Dimensions in mm  
AC  
2
A3  
A4  
C1  
C4  
NC  
C3  
A1  
CDSV5-4448C2  
CDSV6-4448A2  
CDSV6-4448S2  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRM  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
100  
V
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
80  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
57  
V
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
500  
250  
mA  
mA  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms  
4.0  
2.0  
IFSM  
A
@ t = 1.0s  
Pd  
RqJA  
Power Dissipation  
200  
625  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj , TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
VBR(R)  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 100mA  
80  
¾
V
IF = 5.0mA  
IF = 10mA  
IF = 100mA  
IF = 150mA  
0.62  
¾
¾
0.72  
0.855  
1.0  
VFM  
Maximum Forward Voltage (Note 2)  
V
¾
1.25  
VR = 70V  
100  
50  
nA  
mA  
mA  
nA  
V
R = 75V, Tj = 150°C  
IRM  
Maximum Peak Reverse Current (Note 2)  
¾
30  
VR = 25V, Tj = 150°C  
R = 20V  
25  
V
VR = 6, f = 1.0MHz  
VR = 6V, IF = 5mA  
Cj  
trr  
Junction Capacitance  
¾
¾
3.5  
4.0  
pF  
ns  
Reverse Recovery Time  
Notes:  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
Page 1  
MDS0308001A  
12

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