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CDBU0230-HF

更新时间： 2024-01-15 12:29:45

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上华 - COMCHIP		二极管
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SMD Schottky Barrier Diode

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CDBU0230-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	1.45
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.5 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-N2	最大非重复峰值正向电流：	3 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	35 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

CDBU0230-HF 数据手册

SMD Schottky Barrier Diode

SMD Diodes Specialist

(RoHS Device)

CDBU0230-HF

VR = 30 Volts

Io = 200 mA

Features

0603(1608)

Halogen free.

0.071(1.80)

0.063(1.60)

Designed for mounting on small surface.

Extremely thin/leadless package.

Low drop-down voltage.

Majority carrier conduction.

0.039(1.00)

0.031(0.80)

Mechanical data

0.033(0.85)

0.027(0.70)

Case: 0603(1608) standard package,

0.014(0.35) Typ.

molded plastic.

Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

0.012 (0.30) Typ.

Marking code: cathode band & B5

Mounting position: Any

0.028(0.70) Typ.

Weight: 0.003 gram(approx.).

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Typ

Max Unit

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Conditions

Min

VRRM

Average forward current

200

8.3 ms single half sine-wave superimposed

on rate load(JEDEC method)

Forward current,surge peak

IFSM

3000

Power Dissipation

TSTG

150

Sunction temperature

Junction temperature

-40

+125

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Typ

Max Unit

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Forward voltage

IF = 200 mA DC

0.50

Reverse current

VR = 30V

Capacitance between terimnals

F = 1 MHZ and 10 VDC reverse voltage

REV:A

Page 1

QW-G1064

Comchip Technology CO., LTD.

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