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CDBU0245-HF

更新时间： 2024-02-07 16:31:51

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上华 - COMCHIP		二极管
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SMD Schottky Barrier Diode

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CDBU0245-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-N2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	1.4	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-N2
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	50 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

CDBU0245-HF 数据手册

SMD Schottky Barrier Diode

SMD Diodes Specialist

(RoHS Device)

CDBU0245-HF

VR = 45 Volts

Io = 200 mA

Features

0603(1608)

Halogen free.

0.071(1.80)

0.063(1.60)

Designed for mounting on small surface.

Extremely thin/leadless package.

Low leakage current (IR=0.1uA typ.@VR=10V).

Majority carrier conduction.

0.039(1.00)

0.031(0.80)

Mechanical data

0.033(0.85)

0.027(0.70)

Case: 0603(1608) standard package,

0.014(0.35) Typ.

molded plastic.

Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

0.012 (0.30) Typ.

Marking code: cathode band & B6

Mounting position: Any

0.028(0.70) Typ.

Weight: 0.003 gram(approx.).

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Typ

Max Unit

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Conditions

Min

VRRM

Reverse voltage

Average forward current

200

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rate load(JEDEC method)

Forward current,surge peak

IFSM

2000

Power Dissipation

TSTG

150

Storage temperature

Junction temperature

-40

+125

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Typ

Max Unit

Parameter

Conditions

Min

Forward voltage

IF = 200 mA DC

0.55

Reverse current

VR = 10 V

Capacitance between terminals

f = 1 MHZ, and 10VDC reverse voltage

REV:A

Page 1

QW-G1068

Comchip Technology CO., LTD.

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