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CDBU54-HF

更新时间： 2024-02-23 17:11:28
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上华 - COMCHIP 二极管
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4页 191K
描述
SMD Schottky Barrier Diode

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CDBU54-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.57
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.24 V
JESD-30 代码：R-PDSO-N2最大非重复峰值正向电流：0.6 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.15 W最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

CDBU54-HF 数据手册

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SMD Schottky Barrier Diode  
SMD Diodes Specialist  
(RoHS Device)  
CDBU54-HF  
VR = 30 Volts  
Io = 200 mA  
Features  
Halogen free.  
0603(1608)  
0.071(1.80)  
0.063(1.60)  
Low forward voltage.  
Designed for mounting on small surface.  
Extremely thin / leadless package.  
Majority carrier conduction.  
0.039(1.00)  
0.031(0.80)  
Mechanical data  
0.033(0.85)  
0.027(0.70)  
Case: 0603(1608) standard package,  
molded plastic.  
0.014(0.35) Typ.  
Terminals: Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750,method 2026.  
0.012 (0.30) Typ.  
Marking code: cathode band & BF  
Mounting position: Any  
0.028(0.70) Typ.  
Weight: 0.003 gram(approx.).  
Dimensions in inches and (millimeter)  
O
Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)  
Symbol  
Min Typ Max Unit  
Parameter  
Peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Conditions  
VRM  
30  
V
VR  
30  
V
RMS reverse voltage  
VR(RMS)  
IO  
21  
200  
0.3  
V
mA  
A
Average forward rectified current  
Repetitive peak forward current  
IFRM  
8.3 ms single half sine-wave superimposed  
on rate load(JEDEC method)  
Forward current,surge peak  
IFSM  
0.6  
A
Power dissipation  
PD  
TSTG  
Tj  
150  
mW  
O
Storage temperature  
Junction temperature  
-65  
+125  
+125  
C
O
C
O
Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)  
Typ  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Max Unit  
IF = 0.1mA  
IF = 1mA  
IF = 10mA  
IF = 30mA  
IF = 100mA  
0.24  
0.32  
Forward voltage  
VF  
V
0.4  
0.5  
1
Reverse current  
VR = 25V  
IR  
2
10  
5
uA  
pF  
Capacitance between terminals  
f = 1 MHz, and 1 VDC reverse voltage  
IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR,RL=100 Ohm  
CT  
Reverse recovery time  
Trr  
nS  
REV:A  
Page 1  
QW-G1017  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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