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CDBUR0130L-HF

更新时间： 2024-01-19 00:20:13

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上华 - COMCHIP		二极管
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SMD Schottky Barrier Diode

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CDBUR0130L-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	35 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

CDBUR0130L-HF 数据手册

SMD Schottky Barrier Diode

CDBUR0130L-HF

Io = 100 mA

VR = 30 Volts

RoHS Device

Halogen Free

0603/SOD-523F

Features

0.071(1.80)

0.063(1.60)

-Low forward voltage.

-Designed for mounting on small surface.

-Extremely thin / leadless package.

-Majority carrier conduction.

0.039(1.00)

0.031(0.80)

Mechanical data

0.033(0.85)

0.027(0.70)

-Case: 0603/SOD-523F standard package,

molded plastic.

0.018(0.45) Typ.

-Terminals: Gold plated, solderable per

MIL-STD-750,method 2026.

-Marking code: cathode band & BP

-Mounting position: Any

0.028(0.70) Typ.

-Weight: 0.003 gram(approx.).

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Typ

Max Unit

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Conditions

Min

VRRM

Reverse voltage

Average forward current

100

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rate load(JEDEC method)

Forward current,surge peak

IFSM

Storage temperature

Junction temperature

TSTG

-40

+125

Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)

Symbol

Typ

Max Unit

Parameter

Conditions

Min

Forward voltage

IF = 10 mA

VR = 10 V

0.35

Reverse current

REV:A

Page 1

QW-G1043

Comchip Technology CO., LTD.

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