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CAT25512HU5E-GT3

更新时间： 2024-09-15 12:33:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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16页 206K
描述
512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM

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CAT25512HU5E-GT3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：3 X 2 MM, 0.50 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, UDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.71
其他特性：100 YEAR DATA RETENTION最大时钟频率 (fCLK)：10 MHz
数据保留时间-最小值：100耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e4
长度：3 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装等效代码：SOLCC8,.11,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行：SERIAL电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.55 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000003 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：2 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

CAT25512HU5E-GT3 数据手册

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CAT25512  
512-Kb SPI Serial CMOS  
EEPROM  
Description  
The CAT25512 is a 512−Kb Serial CMOS EEPROM device  
internally organized as 64Kx8 bits. This features a 128−byte page  
write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI)  
protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In  
addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input  
(SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause  
any serial communication with the CAT25512 device. The device  
features software and hardware write protection, including partial as  
well as full array protection.  
http://onsemi.com  
SOIC−8  
V SUFFIX  
CASE 751BD  
UDFN−8  
SOIC−8  
X SUFFIX  
HU5 SUFFIX  
CASE 517BU  
CASE 751BE  
On−Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable  
for high reliability applications.  
Features  
• 20 MHz SPI Compatible  
PDIP−8  
L SUFFIX  
CASE 646AA  
TSSOP−8  
Y SUFFIX  
CASE 948AL  
• 2.5 V (1.8 V) to 5.5 V Supply Voltage Range  
• SPI Modes (0,0) & (1,1)  
• 128−byte Page Write Buffer  
• Additional Identification Page with Permanent Write Protection  
• Self−timed Write Cycle  
PIN CONFIGURATION  
1
CS  
SO  
WP  
V
CC  
• Hardware and Software Protection  
• Block Write Protection  
HOLD  
SCK  
SI  
1
1
− Protect / , / or Entire EEPROM Array  
4
2
• Low Power CMOS Technology  
V
SS  
• 1,000,000 Program/Erase Cycles  
PDIP (L), SOIC (V, X),  
TSSOP (Y), UDFN (HU5)  
• 100 Year Data Retention  
• Industrial and Extended Temperature Range  
• PDIP, SOIC, TSSOP 8−lead and UDFN 8−pad Packages  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS  
Compliant  
PIN FUNCTION  
Pin Name  
CS  
Function  
Chip Select  
V
CC  
SO  
Serial Data Output  
Write Protect  
WP  
SI  
V
SS  
Ground  
CS  
SI  
Serial Data Input  
Serial Clock  
CAT25512  
SO  
WP  
SCK  
HOLD  
SCK  
HOLD  
Hold Transmission Input  
Power Supply  
V
CC  
V
SS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 16 of this data sheet.  
Figure 1. Functional Symbol  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
November, 2012 − Rev. 3  
CAT25512/D  
1234567...16

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CAT25512HU5E-GT3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CAT25512HU5I-GT3 ONSEMI

类似代替

 EEPROM Serial 512-Kb SPI, UDFN8, 3x2, 0.5P, 3000-REEL
CAT24C512HU5IGT3 ONSEMI

类似代替

 512 kb I2C CMOS Serial EPROM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT25512HU5I-GT3 ONSEMI

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 		EEPROM Serial 512-Kb SPI, UDFN8, 3x2, 0.5P, 3000-REEL
CAT25512HU5I-GT3L ONSEMI

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 		512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM
CAT25-512JA BOURNS

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 		Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 5100ohm, 25V, 5% +/-Tol, 200
CAT25-512JALF BOURNS

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 		Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.0625W, 5100ohm, 25V, 5% +/-Tol,
CAT25512LE-G ONSEMI

获取价格

 		512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM
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