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Datasheet > 存储 > EEPROM> CAT25512HU5I-GT3
CAT25512HU5I-GT3 PDF预览

CAT25512HU5I-GT3

更新时间： 2024-11-18 13:06:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 206K
描述
EEPROM Serial 512-Kb SPI, UDFN8, 3x2, 0.5P, 3000-REEL

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CAT25512HU5I-GT3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DFN包装说明：3 X 2 MM, 0.50 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, UDFN-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：1.53其他特性：100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz数据保留时间-最小值：100
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装等效代码：SOLCC8,.11,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.55 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL宽度：2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

CAT25512HU5I-GT3 数据手册

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CAT25512  
512-Kb SPI Serial CMOS  
EEPROM  
Description  
The CAT25512 is a 512−Kb Serial CMOS EEPROM device  
internally organized as 64Kx8 bits. This features a 128−byte page  
write buffer and supports the Serial Peripheral Interface (SPI)  
protocol. The device is enabled through a Chip Select (CS) input. In  
addition, the required bus signals are clock input (SCK), data input  
(SI) and data output (SO) lines. The HOLD input may be used to pause  
any serial communication with the CAT25512 device. The device  
features software and hardware write protection, including partial as  
well as full array protection.  
http://onsemi.com  
SOIC−8  
V SUFFIX  
CASE 751BD  
UDFN−8  
SOIC−8  
X SUFFIX  
HU5 SUFFIX  
CASE 517BU  
CASE 751BE  
On−Chip ECC (Error Correction Code) makes the device suitable  
for high reliability applications.  
Features  
• 20 MHz SPI Compatible  
PDIP−8  
L SUFFIX  
CASE 646AA  
TSSOP−8  
Y SUFFIX  
CASE 948AL  
• 2.5 V (1.8 V) to 5.5 V Supply Voltage Range  
• SPI Modes (0,0) & (1,1)  
• 128−byte Page Write Buffer  
• Additional Identification Page with Permanent Write Protection  
• Self−timed Write Cycle  
PIN CONFIGURATION  
1
CS  
SO  
WP  
V
CC  
• Hardware and Software Protection  
• Block Write Protection  
HOLD  
SCK  
SI  
1
1
− Protect / , / or Entire EEPROM Array  
4
2
• Low Power CMOS Technology  
V
SS  
• 1,000,000 Program/Erase Cycles  
PDIP (L), SOIC (V, X),  
TSSOP (Y), UDFN (HU5)  
• 100 Year Data Retention  
• Industrial and Extended Temperature Range  
• PDIP, SOIC, TSSOP 8−lead and UDFN 8−pad Packages  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS  
Compliant  
PIN FUNCTION  
Pin Name  
CS  
Function  
Chip Select  
V
CC  
SO  
Serial Data Output  
Write Protect  
WP  
SI  
V
SS  
Ground  
CS  
SI  
Serial Data Input  
Serial Clock  
CAT25512  
SO  
WP  
SCK  
HOLD  
SCK  
HOLD  
Hold Transmission Input  
Power Supply  
V
CC  
V
SS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 16 of this data sheet.  
Figure 1. Functional Symbol  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
November, 2012 − Rev. 3  
CAT25512/D  
1234567...16

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CAT25512HU5I-GT3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CAT24C512HU5IGT3 ONSEMI

类似代替

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 512K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT25512HU5I-GT3L ONSEMI

获取价格

 		512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM
CAT25-512JA BOURNS

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 		Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 5100ohm, 25V, 5% +/-Tol, 200
CAT25-512JALF BOURNS

获取价格

 		Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.0625W, 5100ohm, 25V, 5% +/-Tol,
CAT25512LE-G ONSEMI

获取价格

 		512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM
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 		512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM
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 		512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM
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 		512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM
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 		512-Kb SPI Serial CMOS EEPROM

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