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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.12 |
| 最长访问时间： | 375 ns | 其他特性： | DATA RETENTION > 10 YEARS |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 4.9 mm | 内存密度： | 256 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 16 words |
| 字数代码： | 16 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16X16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CAT24C44W | ONSEMI |
获取价格 |
256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM |
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| CAT24C44W | CATALYST |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 |
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| CAT24C44WA | CATALYST |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 |
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| CAT24C44WA-TE13 | CATALYST |
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暂无描述 |
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| CAT24C44WI | CATALYST |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 |
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| CAT24C44WI-TE13 | CATALYST |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 |
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| CAT24C44W-TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
16X16 NON-VOLATILE SRAM, 375ns, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 |
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| CAT24C44W-TE13 | CATALYST |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8 |
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| CAT24C512 | ONSEMI |
获取价格 |
512 kb I2C CMOS Serial EEPROM 128?Byte Page Write Buffer |
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| CAT24C512_1111 | ONSEMI |
获取价格 |
512 kb I2C CMOS Serial EEPROM |
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