Datasheet > CAT24C44SI-TE7

CAT24C44SI-TE7

更新时间： 2024-10-28 14:10:11

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	56K
描述
IC 16 X 16 NON-VOLATILE SRAM, 375 ns, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8, Static RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CAT24C44SI-TE7 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.27
最长访问时间：	375 ns	其他特性：	DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	4.9 mm	内存密度：	256 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	16 words	字数代码：	16
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

CAT24C44SI-TE7 数据手册

CAT24C44

256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM

FEATURES

■ Single 5V Supply

■ JEDEC Standard Pinouts:

–8-lead DIP

■ Infinite EEPROM to RAM Recall

■ CMOS and TTL Compatible I/O

–8-lead SOIC

■ 100,000 Program/Erase Cycles (EEPROM)

■ Auto Recall on Power-up

■ Low CMOS Power Consumption:

–Active: 3mA Max.

–Standby: 30µA Max.

■ Commercial, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

■ Power Up/Down Protection

■ 10 Year Data Retention

DESCRIPTION

store protection circuitry prohibits STORE operations

when V_CCis less than 3.5V (typical) ensuring EEPROM

data integrity.

The CAT24C44 Serial NVRAM is a 256-bit nonvolatile

memory organized as 16 words x 16 bits. The high

speed Static RAM array is bit for bit backed up by a

nonvolatile EEPROM array which allows for easy trans-

fer of data from RAM array to EEPROM (STORE) and

from EEPROM to RAM (RECALL). STORE operations

are completed in 10ms max. and RECALL operations

typically within 1.5µs. The CAT24C44 features unlim-

ited RAM write operations either through external RAM

writes or internal recalls from EEPROM. Internal false

The CAT24C44 is manufactured using Catalyst’s ad-

vancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesignedto

endure 100,000 program/erase cycles (EEPROM) and

has a data retention of 10 years. The device is available

in JEDEC approved 8-lead plastic DIP and SOIC

packages.

PIN CONFIGURATION

PIN FUNCTIONS

Pin Name

Function

Serial Clock

Serial Input

Serial Data Output

Chip Enable

Recall

DIP Package (L)

SOIC Package ( V)

STORE

STORE SK

RECALL DI

RECALL

STORE

V_CC

Store

+5V

V_SS

Ground

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1083, Rev. T

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与CAT24C44SI-TE7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT24C44STE13	CATALYST	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44S-TE13	CATALYST	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44S-TE7	ETC	获取价格	NVRAM (EEPROM Based)
CAT24C44V	ONSEMI	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VA	CATALYST	获取价格	Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, GREEN, SOIC-8
CAT24C44VA-GTE13	CATALYST	获取价格	Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, GREEN, SOIC-8
CAT24C44VA-TE13	CATALYST	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VE	ONSEMI	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VE-G	ONSEMI	获取价格	16X16 NON-VOLATILE SRAM, 375ns, PDSO8, GREEN, SOIC-8
CAT24C44VE-GT3	ONSEMI	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM

与CAT24C44SI-TE7相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

11
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

38
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CAT24C44SI-TE7

CAT24C44SI-TE7 技术参数

CAT24C44SI-TE7 数据手册

与CAT24C44SI-TE7相关器件

与CAT24C44SI-TE7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CAT24C44SI-TE7

CAT24C44SI-TE7 技术参数

CAT24C44SI-TE7 数据手册

与CAT24C44SI-TE7相关器件

与CAT24C44SI-TE7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？