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CAT24C44VE-G

更新时间： 2024-11-20 13:06:35

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
9页	62K
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16X16 NON-VOLATILE SRAM, 375ns, PDSO8, GREEN, SOIC-8

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CAT24C44VE-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.16	最长访问时间：	375 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.9 mm	内存密度：	256 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	16 words	字数代码：	16
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

CAT24C44VE-G 数据手册

CAT24C44

256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM

FEATURES

■ Single 5V Supply

■ JEDEC Standard Pinouts:

–8-lead DIP

■ Infinite EEPROM to RAM Recall

■ CMOS and TTL Compatible I/O

–8-lead SOIC

■ 100,000 Program/Erase Cycles (EEPROM)

■ Auto Recall on Power-up

■ Low CMOS Power Consumption:

–Active: 3mA Max.

–Standby: 30µA Max.

■ Commercial, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

■ Power Up/Down Protection

■ 10 Year Data Retention

DESCRIPTION

store protection circuitry prohibits STORE operations

when V_CCis less than 3.5V (typical) ensuring EEPROM

data integrity.

The CAT24C44 Serial NVRAM is a 256-bit nonvolatile

memory organized as 16 words x 16 bits. The high

speed Static RAM array is bit for bit backed up by a

nonvolatile EEPROM array which allows for easy trans-

fer of data from RAM array to EEPROM (STORE) and

from EEPROM to RAM (RECALL). STORE operations

are completed in 10ms max. and RECALL operations

typically within 1.5µs. The CAT24C44 features unlim-

ited RAM write operations either through external RAM

writes or internal recalls from EEPROM. Internal false

The CAT24C44 is manufactured using Catalyst’s ad-

vancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesignedto

endure 100,000 program/erase cycles (EEPROM) and

has a data retention of 10 years. The device is available

in JEDEC approved 8-lead plastic DIP and SOIC

packages.

PIN CONFIGURATION

PIN FUNCTIONS

Pin Name

Function

Serial Clock

Serial Input

Serial Data Output

Chip Enable

Recall

DIP Package (L)

SOIC Package ( V)

STORE

STORE SK

RECALL DI

RECALL

STORE

V_CC

Store

+5V

V_SS

Ground

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1083, Rev. T

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与CAT24C44VE-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT24C44VE-GT3	ONSEMI	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VE-GTE13	ONSEMI	获取价格	16X16 NON-VOLATILE SRAM, 375ns, PDSO8, GREEN, SOIC-8
CAT24C44VE-GTE13	CATALYST	获取价格	Non-Volatile SRAM, 16X16, 375ns, CMOS, PDSO8, GREEN, SOIC-8
CAT24C44VE-T3	ONSEMI	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VE-TE13	CATALYST	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VI	ONSEMI	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VI-G	ONSEMI	获取价格	16X16 NON-VOLATILE SRAM, 375ns, PDSO8, GREEN, SOIC-8
CAT24C44VI-GT3	ONSEMI	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VI-T3	ONSEMI	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM
CAT24C44VI-TE13	CATALYST	获取价格	256-Bit Serial Nonvolatile CMOS Static RAM

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