BZT55C8V2

更新时间： 2024-11-04 22:54:07

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TEMIC		二极管齐纳二极管测试
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6页	82K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZT55C8V2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LELF-N2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE, VERY HIGH STABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
最大电压容差：	6.1%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZT55C8V2 数据手册

BZT55C...

TELEFUNKEN Semiconductors

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

D Very sharp reverse characteristic

D Low reverse current level

D Very high stability

D Low noise

D Available with tighter tolerances

Applications

94 9373

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25_C

Parameter

Test Conditions

x300K/W

Type

Symbol

Value

500

Unit

°C

Power dissipation

thJA

Z–current

P /V

Junction temperature

Storage temperature range

175

stg

–65...+175

°C

Maximum Thermal Resistance

T = 25_C

Parameter

Test Conditions

on PC board 50mmx50mmx1.6mm

Symbol

Value

500

Unit

K/W

Junction ambient

thJA

Characteristics

T = 25_C

Parameter

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.5

Unit

Forward voltage

Rev. A1: 12.12.1994

12 3 4 5 6

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