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BZT55C9V1GS18

更新时间: 2024-11-06 14:23:23
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 119K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional,

BZT55C9V1GS18 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
膝阻抗最大值:50 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:9.1 V最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
电压温度Coeff-Max:8.19 mV/ °C工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZT55C9V1GS18 数据手册

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