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BZT55C9V1GS08

更新时间: 2024-11-06 14:23:23
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 119K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional,

BZT55C9V1GS08 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2膝阻抗最大值:50 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END电压温度Coeff-Max:8.19 mV/ °C
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZT55C9V1GS08 数据手册

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