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BZT55C8V2GS18

更新时间： 2024-11-06 13:30:03

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威世 - VISHAY		测试二极管
页数	文件大小	规格书
6页	155K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.098%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, SOD-80, QUADROMELF-2

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BZT55C8V2GS18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MELF	包装说明：	O-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.72	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	8.2 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN SILVER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	6.098%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZT55C8V2GS18 数据手册

BZT55C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Very sharp reverse characteristic

Low reverse current level

Very high stability

Low noise

Available with tighter tolerances

96 12009

Applications

Voltage stabilization

Order Instruction

Type

BZT55C2V4

Ordering Code

BZT55C2V4–GS08

BZT55C2V4–GS18

Remarks

Tape and Reel (2.500 pcs)

Tape and Reel (10.000 pcs)

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Z–current

Junction temperature

Storage temperature range

Test Conditions

Type

Symbol

Value

500

Unit

300K/W

thJA

P /V

175

–65...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

on PC board 50 mmx50 mmx1.6 mm

Symbol

thJA

Value

500

Unit

K/W

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.5

Document Number 85601

Rev. 4, 12-Mar-01

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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