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BZT55C8V2

更新时间: 2024-11-05 22:54:07
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威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
6页 81K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

BZT55C8V2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.72
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN SILVER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:6.098%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZT55C8V2 数据手册

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BZT55C...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Very sharp reverse characteristic  
Low reverse current level  
Very high stability  
Low noise  
Available with tighter tolerances  
96 12009  
Applications  
Voltage stabilization  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Z–current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Test Conditions  
300K/W  
Type  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
mW  
mA  
C
P
V
R
thJA  
I
Z
P /V  
V
Z
T
175  
–65...+175  
j
T
stg  
C
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJA  
Value  
500  
Unit  
K/W  
Junction ambient on PC board 50mmx50mmx1.6mm  
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =200mA  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
1.5  
V
F
V
F
Document Number 85601  
Rev. 3, 01-Apr-99  
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
1 (6)  

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